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| 新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果 | |
| 引用本文： | 曹宝成,马洪磊.新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果[J].山东大学学报(自然科学版),1995,30(2):174-177. |
| 作者姓名： | 曹宝成 马洪磊 |
| 摘 要： | 报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境 |
| 关 键 词： | 半导体表面 清洗工艺 电子清洗剂 |
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