| 电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质 |
| |
| 引用本文： | 孙大为,孙文军.电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2012,28(5). |
| |
| 作者姓名： | 孙大为 孙文军 |
| |
| 作者单位： | 哈尔滨师范大学 |
| |
| 基金项目： | 黑龙江省自然基金，黑龙江省教育厅骨干教师项目，哈师大预研项目 |
| |
| 摘 要： | 采用电子束蒸发法在蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Eu3+薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光(PL)光谱仪测试了不同退火温度下薄膜结构、形貌以及光致发光谱,分析了薄膜光致发光中的能量传递原理.结果表明:ZnO∶Eu粒子为六角纤锌矿结构,且600℃退火后结晶更好；光致发光谱中Eu3+的特征发光中心波长分别位于617 nm和667 nm,且600℃退火温度下的Eu3+特征发光最强.适当的退火温度可有效形成Eu离子的发光中心.
|
| 关 键 词： | ZnO∶Eu3+ 电子束蒸发 光致发光 |
Study on Structure and Photoluminescence Properties for Eu-doped ZnO Thin Films Grown by Electron Beam Evaporation |
| |
| Sun Dawei,Sun Wenjun.Study on Structure and Photoluminescence Properties for Eu-doped ZnO Thin Films Grown by Electron Beam Evaporation[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2012,28(5). |
| |
| Authors: | Sun Dawei Sun Wenjun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
