首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为
引用本文:孟繁玲,李永华,刘常升,徐跃,王煜明.TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为[J].吉林大学学报(理学版),2008,46(3):531-534.
作者姓名:孟繁玲  李永华  刘常升  徐跃  王煜明
作者单位:1. 东北大学 材料与冶金学院, 沈阳 110004; 2. 哈尔滨工程大学 理学院, 哈尔滨 150001; 3. 吉林大学 测试科学实验中心, 长春 130021; 4. 吉林大学 材料科学与工程学院, 长春 130012
摘    要:将采用直流磁控溅射方法制备的TiNi薄膜沉积在玻璃衬底上, 在退火温度为500 ℃时, 应用X射线衍射(XRD)和小角X射线散射(SAXS)研究室温溅射的TiNi合金薄膜结晶粒子的长大行为. 结果表明, 薄膜中的晶化粒子约在前13 min以成核的方式生成, 而在13 min后不断长大, R3G与退火时间t的关系不完全满足Lifshitz’s动力学理论. 

关 键 词:TiNi薄膜  结晶粒子  小角X射线散射  
文章编号:1671-5489(2008)03-0531-04
收稿时间:2007-12-11
修稿时间:2007年12月11

The Behavior of Crystalline Grain Growth in TiNi Shape Memory Alloy Thin Films
MENG Fan-ling,LI Yong-hua,LIU Chang-sheng,XU Yue,WANG Yu-ming.The Behavior of Crystalline Grain Growth in TiNi Shape Memory Alloy Thin Films[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,2008,46(3):531-534.
Authors:MENG Fan-ling  LI Yong-hua  LIU Chang-sheng  XU Yue  WANG Yu-ming
Institution:1. School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, Shenyang 110004, China;2. School of Sciences, Harbin Engineering University, Harbin 150001, China;3. Test Science Experiment Center, Jilin University, Changchun 130021, China;4. College of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China
Abstract:NiTi thin films were deposited on glass substrate by d.c. magnetron sputtering. X-ray diffraction (XRD) and small-angle X-ray scattering (SAXS) were used to study the behavior of crystalline grain growth in TiNi alloy thin films annealed at 500 ℃. The thin films were deposited at room temperature.
Keywords:NiTi thin film  crystalline gain  small-angle X-ray scattering
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《吉林大学学报(理学版)》浏览原始摘要信息
点击此处可从《吉林大学学报(理学版)》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号