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硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制
引用本文:董金珠,梁平治,江美玲. 硅全耗尽背照式光电二极管列阵的研制[J]. 科学技术与工程, 2008, 8(15)
作者姓名:董金珠  梁平治  江美玲
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
摘    要:在高电阻率的N型硅衬底上制作出全耗尽背照式的光电二极管。电阻率约为15000Ω.cm的硅衬底可以得到几百微米深的耗尽区,而通过在光电二极管的正背面施加一定的偏压就可以使其工作在全耗尽背照式的模式下。背面的浅结可以得到比较好的短波响应,而相对大的耗尽宽度可以在近红外处得到比较好的响应。测试结果表明器件在偏压为30V时,1μm处的峰值响应达到0.72A/W,量子效率达90%。

关 键 词:全耗尽  背照式  光电二极管列阵

Fully Depleted Back Illuminated Silicon Photodiode Array
DONG Jin-zhu,LIANG Ping-zhi,JIANG Mei-ling. Fully Depleted Back Illuminated Silicon Photodiode Array[J]. Science Technology and Engineering, 2008, 8(15)
Authors:DONG Jin-zhu  LIANG Ping-zhi  JIANG Mei-ling
Abstract:
Keywords:
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