| VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究 |
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| 引用本文： | 孙强,兰天平,周春锋.VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究[J].天津科技,2015(3):18-20. |
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| 作者姓名： | 孙强 兰天平 周春锋 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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| 摘 要： | VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上。通过采用VGF(垂直梯度冷凝法)生长7.62 cm砷化镓单晶,并选取合适的温度梯度(4℃/cm左右)和低位错籽晶,同时掺入一定剂量的高纯碳粉并选用适量的无水氧化硼作为液封剂,成功地研制出低位错密度的7.62 cm半绝缘砷化镓单晶材料。
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| 关 键 词： | VGF 砷化镓 单晶生长 半绝缘 |
The Technology of 3-inch SI-GaAs Monocrystal Growth for VCSEL Array |
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| SUN Qiang;LAN Tianping;ZHOU Chunfeng.The Technology of 3-inch SI-GaAs Monocrystal Growth for VCSEL Array[J].Tianjin Science & Technology,2015(3):18-20. |
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| Authors: | SUN Qiang;LAN Tianping;ZHOU Chunfeng |
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| Institution: | SUN Qiang;LAN Tianping;ZHOU Chunfeng;No.46 Research Institute of China Electronic Group Corporation; |
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