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间接带隙纳米半导体材料的量子限制理论
引用本文:
薛华.间接带隙纳米半导体材料的量子限制理论[J].西北民族学院学报,1998(1).
作者姓名:
薛华
作者单位:
西北民族学院物理系 兰州730030
摘 要:
研究了间接带隙材料量子点的量子限制理论,阐明了间接带隙到直接带隙光跃迁性质的转变机理,计算了激子跃迁能和激子结合能,这些理论结果提示了在纳米 Si、Ge 发光过程中的量子限制效应的重要性。
关 键 词:
量子点
激子
量子限制效应
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