| 改进的多孔硅生长模型和计算机模拟 |
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| 引用本文： | 张庆全,竺士炀,黄宜平.改进的多孔硅生长模型和计算机模拟[J].复旦学报(自然科学版),2003,42(1):70-73,80. |
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| 作者姓名： | 张庆全 竺士炀 黄宜平 |
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| 作者单位： | 复旦大学,微电子系,ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(30170266) |
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| 摘 要： | 基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.
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| 关 键 词： | 多孔硅薄膜 计算机模拟 多孔硅生长模型 氢氟酸 微结构 生长机理 |
| 文章编号： | 0427-7104(2003)01-0070-04 |
A Modified Model and Computer Simulation for Porous Silicon Formation |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon computer simulation porous silicon formation model |
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