| 铁磁/半导体/铁磁异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应 |
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| 引用本文： | 陆文彪,李志坚.铁磁/半导体/铁磁异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应[J].山西大学学报(自然科学版),2008,31(2):189-192. |
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| 作者姓名： | 陆文彪 李志坚 |
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| 作者单位： | 山西大学,理论物理研究所,山西,太原,030006 |
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| 摘 要： | 考虑半导体中自旋轨道耦合作用的自旋翻转效应及铁磁半导体边界处的界面势垒作用,研究了自旋极化电子在准一维铁磁/半导体/铁磁(F/S/F)异质结中的输运行为.数值结果表明,随着界面势垒的增大能够实现电子自旋的翻转.随着两边铁磁体磁化方向夹角的变化,磁电阻在夹角为π处出现正负转变,而且磁电阻正负值的绝对值关于夹角π不对称,这些现象均起源于Rashba自旋轨道耦合作用而不是Dresselhaus自旋轨道耦合作用.与Dresselhaus自旋轨道耦合作用相比,Rashba自旋轨道耦合作用更能增大磁电阻效应.
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| 关 键 词： | 自旋轨道耦合 F/S/F 隧道磁电阻 铁磁体 铁磁半导体 异质结 电子自旋 自旋翻转 大磁电阻效应 Electron Transport Magnetoresistance Spin Semiconductor 现象 不对称 正负值 转变 变化 磁化方向 数值结果 输运行为 一维 极化电子 |
| 文章编号： | 0253-2395(2008)02-0189-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月5日 |
Spin Flipping and Magnetoresistance in Electron Transport through Ferromagnetic /Semiconductor /Ferromagnetic Nanostructures |
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| LU Wen-biao,LI Zhi-jian.Spin Flipping and Magnetoresistance in Electron Transport through Ferromagnetic /Semiconductor /Ferromagnetic Nanostructures[J].Journal of Shanxi University (Natural Science Edition),2008,31(2):189-192. |
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| Authors: | LU Wen-biao LI Zhi-jian |
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