| 用快速热工艺氮化超薄SiO2膜的研究 |
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| 引用本文： | 冯文修,陈蒲生.用快速热工艺氮化超薄SiO2膜的研究[J].华南理工大学学报(自然科学版),1995,23(12):121-126. |
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| 作者姓名： | 冯文修 陈蒲生 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系，香港中文大学电子工程学系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,香港裘槎基金 |
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| 摘 要： | 将热生长的超薄（４－２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速工艺系统中，用快速热氮化工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学和动力学与温度关系及其对氮化质量的影响，比较各种不同条件ＲＴＮ制备的ＳｉＯｘＮｙ膜的ＡＥＳ测量的结果，得到ＲＴＮ反应的临界混度约为９００℃，初步了灯眼薄ＳｉＯ２生长动力学的氮／氧替代的微观过程。
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| 关 键 词： | 热氮化 二氧化硅 氮化反应 薄膜 快速热工艺 |
STUDY ON NITRIDATION OF ULTRATHIN SiO_2 FILMS BY RAPID THERMAL PROCESSING |
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| Feng W X, Chen P S, Wong S P.STUDY ON NITRIDATION OF ULTRATHIN SiO_2 FILMS BY RAPID THERMAL PROCESSING[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1995,23(12):121-126. |
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| Authors: | Feng W X Chen P S Wong S P |
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