| 衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 |
| |
| 引用本文： | 吴桂芳,宋学平,刘勇,林伟,孙兆奇.衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究[J].安徽大学学报(自然科学版),2004,28(3):27-32. |
| |
| 作者姓名： | 吴桂芳 宋学平 刘勇 林伟 孙兆奇 |
| |
| 作者单位： | 安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039;安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039;安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039;安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039;安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，安徽省自然科学基金，安徽省教育厅科研项目 |
| |
| 摘 要： | 薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。
|
| 关 键 词： | 基片温度 微结构 溅射铜膜 应力 光学相位移法 |
| 文章编号： | 1000-2162(2004)03-0027-06 |
Effects of substrate temperature on the stress properties of sputtering Cu film on Si wafer |
| |
| WU Gui-fang,SONG Xue-ping,LIU Yong,LIN Wei,SUN Zhao-qi.Effects of substrate temperature on the stress properties of sputtering Cu film on Si wafer[J].Journal of Anhui University(Natural Sciences),2004,28(3):27-32. |
| |
| Authors: | WU Gui-fang SONG Xue-ping LIU Yong LIN Wei SUN Zhao-qi |
| |
| Abstract: | This paper investigates the stress variation with substrate temperature of Cu films on Si wafers deposited by DC sputtering. Underlay temperature is 50℃, 100℃, 150℃, 200℃, 250℃. The results show that the stress is relaxed with underlay temperature from 50℃ to 200℃. |
| |
| Keywords: | underlay temperature microstructure sputtering Cu film stress optical phase-shift technology |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
