| CZTS在快速硫化过程中的相转变 |
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| 引用本文： | 孔一霖,殷鸿飞,马传贺,张永政.CZTS在快速硫化过程中的相转变[J].曲阜师范大学学报,2023(2):14-18+137. |
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| 作者姓名： | 孔一霖 殷鸿飞 马传贺 张永政 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金(62104131)；;山东省自然科学基金青年科学基金(ZR2020QF077)； |
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| 摘 要： | 首先采用磁控共溅射的方法在镀钼钠钙玻璃上制备了Cu-Zn-Sn三元金属预制层，再以硫粉为硫源，用快速退火处理(RTP)炉分别在200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃、550℃和600℃进行1 h快速热处理，得到不同温度硫化的薄膜，分别采用XRD、Raman、SEM进行物相和表面形貌的表征.结果表明，在硫化退火过程中，在250～300℃,首先形成的二元相有Cu2S、ZnS、SnS;在300～350℃,三元相Cu2SnS3形成；超过350℃时，晶粒尺寸较小的Cu2ZnSnS4(CZTS)开始形成；随着温度继续升高，CZTS的晶粒逐渐长大，杂相减少；当温度达到500℃时，表面形成结晶性好、晶粒尺寸大且无杂相的CZTS薄膜.通过对XRD和Raman图谱的分析，确立了各个温度区间发生相转变的化学反应方程式.
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| 关 键 词： | CZTS薄膜 快速热处理 硫化 相变 |
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