| NaSrBO3电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 王家峰,贾偶鹤,程新路. NaSrBO3电子结构的第一性原理研究[J]. 西南民族学院学报(自然科学版), 2008, 34(2): 353-355 |
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| 作者姓名： | 王家峰 贾偶鹤 程新路 |
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| 作者单位： | 四川大学原子与分子物理研究所,四川成都610065 |
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| 摘 要： | ![]()
采用第一原理的密度泛函理论，计算了NaSrBO3的电子结构，通过分析能带结构图，我们得出物质的带隙宽度为4．24eV，从而证明本物质具有半导体特性．通过分析PDOS图分析出B与O在成键过程中起到主要作用，而B与Na,Sr两元素成键较弱，与实验的结论一致，进一步证明本物质是一种良好的非线性光学材料．
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| 关 键 词： | NaSrBO3 能带 态密度 电子结构 |
| 文章编号： | 1003-2843(2008)02-0353-03 |
| 修稿时间： | 2007-11-02 |
First - Principle stud ies of the electronicstructure in NaSrBO3 |
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| WANG Jia-feng,JIA Ou-he,CHENG Xin-lu. First - Principle stud ies of the electronicstructure in NaSrBO3[J]. Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition), 2008, 34(2): 353-355 |
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| Authors: | WANG Jia-feng JIA Ou-he CHENG Xin-lu |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | NaSrBO3 |
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