ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用 |
| |
引用本文: | 宋晓兰,刘辅宜.ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用[J].西安交通大学学报,1995,29(3):52-57. |
| |
作者姓名: | 宋晓兰 刘辅宜 |
| |
摘 要: | 研究了在烧结过程中,烧结温度与等温烧结时间对ZnO晶粒中次晶界的影响及次晶界对ZnO压敏陶瓷电性能的作用,结果发现随烧结温度升高,等温烧结时间延长,次晶界趋于消失,次晶界的存在将增大ZnO晶粒的电阻率、削弱ZnO压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。
|
关 键 词: | 陶瓷 晶界效应 次晶界 氧化锌 半导体 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|