NaCl晶体中位错观察

利用化学浸蚀法观察了NaCl晶体中的位错,验证了位错与蚀坑间的一一对应关系1]。进一步利用浸蚀——退火——再浸蚀法研究了退火前后位错密度的变化,指出亚晶界吸收或放出位错是导致位错密度降低或升高的可能原因,并得到了实验证据。研究了亚晶界移动以及亚晶粒长大的过程,并对亚晶粒的长大机理进行了分析。最后指出,浸蚀——退火——再浸蚀法是研究亚晶界及亚晶粒组态的一种有效的方法。 利用交替浸蚀——抛光的方法研究了亚晶界的空间分布,指出在一般情况下亚晶界是空间曲面。