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杂志ISSN号
掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究
作者姓名:
胡华安 何华辉
作者单位:
固体电子学系
摘 要:
采用DV-Xα方法计算了YIG及Bi-YIG薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致法拉第效应的两种电荷转移跃迁,Bi^3+离子的掺入,增大了跃迁的振子强度,Bi6p与Fe3d形成具有较大自旋-轨道相互作用的耦合轨道,它们是Bi=YIG的法拉第旋转角增大的原因。
关 键 词:
YIG薄膜 法拉第效应 DV-Xα法
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