雷电冲击作用下表面污染对微型传感器闪络电压的影响 |
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引用本文: | 胡利,任勇.雷电冲击作用下表面污染对微型传感器闪络电压的影响[J].河南科技,2023(24):4-7. |
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作者姓名: | 胡利 任勇 |
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摘 要: | 【目的】为了发挥微型传感器作为配电网中的重要监测设备的功能,有必要对污秽条件下微型传感器的闪络特性进行分析。【方法】以微型传感器绝缘件环氧树脂为研究对象,利用固体层法模拟不同程度污秽,用冲击发生器产生雷电波,并进行了500多次雷电冲击试验。【结果】得到不同盐密(ρESDD)、灰密(ρNSDD)与雷电冲击闪络电压的关系,结果表明,ρESDD和ρNSDD均会对雷电冲击电压产生影响,即雷电冲击闪络电压会随二者的增加而降低。【结论】灰密的闪络电压分布和清洁条件下的分散度基本一致,盐密的闪络电压分散性显著增大。盐密和灰密的影响特征指数分别为0.17、0.12,即盐密的影响特征指数大于灰密。
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关 键 词: | 微型传感器 污秽条件 绝缘特性 雷电冲击 |
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