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| 利用硅横向压阻效应的压力敏感器件 | |
| 引用本文： | 鲍敏杭 ,王言.利用硅横向压阻效应的压力敏感器件[J].复旦学报(自然科学版),1985(3). |
| 作者姓名： | 鲍敏杭 王言 |
| 作者单位： | 复旦大学 八三级硕士研究生 |
| 摘 要： | 随着半导体微电子学的发展和计算机的广泛应用,传感器也向着半导体化的方向发展.硅压阻式压力传感器是半导体传感器中历史较久的一种,近年来更向着小型化和集成化的方向发展.但目前的硅压力传感器的核心部分都是由制作在硅薄膜上的四个力敏电阻组成的力敏全桥构成的.图1是它的电路和结构示意图.在无应力时,四个电阻 |
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