| HEMT中二维电子气的电子密度的研究 |
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| 引用本文： | 徐敏.HEMT中二维电子气的电子密度的研究[J].江西师范大学学报(自然科学版),2002,26(3):266-269. |
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| 作者姓名： | 徐敏 |
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| 作者单位： | 陕西安康师范专科学校,物理系,陕西,安康,725000 |
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| 摘 要： | 考虑到界面态影响，通过求解泊松方程，推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式，对文献未考虑界面态影响的HEMT中二维电子气的电子密度表达式作了重要修正。
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| 关 键 词： | HEMT 高电子迁移率晶体管 二维电子气 界面态 电子密度 泊松方程 肖特基势垒 |
| 文章编号： | 1000-5862(2002)03-0266-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月12日 |
Research on the Density of 2DEG in HEMT |
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| XU Min.Research on the Density of 2DEG in HEMT[J].Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition),2002,26(3):266-269. |
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| Authors: | XU Min |
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| Abstract: | Taking the influence of interface state into account and by solving the possion equation,the authors deduce a new expression for the density of 2DEG in HEMT,and put forword amendments for the expression of the density of 2DEG in HEMT in which the influence of interface state was not considered. |
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| Keywords: | HEMT 2DEG interface state density |
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