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| 高阻硅片对紫外LED散热性能的影响研究 | |
| 引用本文： | 周珏,赖晓春.高阻硅片对紫外LED散热性能的影响研究[J].江西科学,2019,37(5). |
| 作者姓名： | 周珏 赖晓春 |
| 作者单位： | 南昌市第一中学物理组,330003,南昌;江西省高等院校科技开发办公室,330038 南昌 |
| 基金项目： | 江西省教育厅科技项目;江西省教育信息技术研究十三五规划课题 |
| 摘 要： | 紫外LED因光谱单一、体积小、冷光源、无热辐射等特点逐渐取代传统汞灯,并广泛应用于油墨固化、医学光疗、消毒杀菌等领域,而功率型紫外LED器件散热问题是制约其性能提高和应用的瓶颈。基于陶瓷大功率LED封装平台制备了引入高阻硅片功率型紫外LED器件,研究发现引入高阻硅片的紫外LED的器件具有较高的光功率,但其热阻及结温均高于无硅片紫外LED,这归因于加入高阻硅片结构增加了芯片散热的传导路径。该工作对实际工业封装技术路线具有指导意义。 |
| 关 键 词： | 紫外LED 热阻 结温 测试与仿真 |
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