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| 酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响 | |
| 引用本文： | 魏秋平,宋玉波,余志明,胡应涛,尹登峰,马莉.酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响[J].中南大学学报(自然科学版),2011,42(3). |
| 作者姓名： | 魏秋平 宋玉波 余志明 胡应涛 尹登峰 马莉 |
| 作者单位： | 1. 中南大学材料科学与工程学院,湖南长沙,410083;中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙,410083 2. 中南大学材料科学与工程学院,湖南长沙,410083 3. 中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙,410083 |
| 基金项目： | 粉末冶金国家重点实验室开放基金资助项目，湖南省研究生创新基金资助项目，中南大学贵重仪器开放共享基金资助项目，中南大学优秀博士论文扶持基金资助项目 |
| 摘 要： | 对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜.用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析.研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均生长出晶形比较完整,呈柱状晶方式生长的金刚石薄膜;此外,Si(100)金刚石膜表面分布着大量的微孔,通过调整沉积工艺可控制微孔的数量和尺寸,而Si(111)金刚石膜表面无微孔出现;2种基体所得薄膜都存在(111)织构,后者Si(111)还有一定的(110)织构;2种基体经酸刻蚀之后制得薄膜均无鼓泡剥离现象,二者的残余应力相差不大. |
| 关 键 词： | 金刚石薄膜 热丝化学气相沉积 酸刻蚀 硅 |
Effect of acid etching of Si(100)and Si(111)on CVD diamond films |
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| WEI Qiu-ping,SONG Yu-bo,YU Zhi-ming,HU Ying-tao,YIN Deng-feng,MA Li.Effect of acid etching of Si(100)and Si(111)on CVD diamond films[J].Journal of Central South University:Science and Technology,2011,42(3). | |
| Authors: | WEI Qiu-ping SONG Yu-bo YU Zhi-ming HU Ying-tao YIN Deng-feng MA Li |
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