| InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究 |
| |
| 引用本文： | 谢生,张帆,毛陆虹.InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),2023(9):160-166. |
| |
| 作者姓名： | 谢生 张帆 毛陆虹 |
| |
| 作者单位： | 1. 天津大学微电子学院;2. 天津市成像与感知微电子技术重点实验室;3. 天津大学自动化与信息工程学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11673019)； |
| |
| 摘 要： | 从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM) InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发，分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素，推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式，同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响，构建了完整的电流响应模型．模型使用与通用电路仿真器完全兼容的Verilog-A语言进行描述，适用于Cadence电路设计平台中与外围电路进行协同仿真．结果表明：在300 K下模型仿真结果与实验数据在60 V偏置电压范围内均处于同一数量级，验证了所构建的APD器件模型的精确度，为光电探测系统的协同设计与整体优化提供了参考．
|
| 关 键 词： | 雪崩光电二极管(APD) 半导体器件模型 InGaAs/InP 电流响应 倍增因子 碰撞电离 |
|
