| 采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究 |
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| 引用本文： | 朱智源,于民,胡安琪,王少南,缪旻,陈兢,金玉丰.采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究[J].北京大学学报(自然科学版),2014,50(4):741-744. |
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| 作者姓名： | 朱智源 于民 胡安琪 王少南 缪旻 陈兢 金玉丰 |
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| 作者单位： | 北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871;北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京100871;北京信息科技大学信息微系统研究所,北京100101 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(2009ZX02038)资助 |
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| 摘 要： | 研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的Al层后,在N2气氛下进行450°C,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行。键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低。
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| 关 键 词： | 圆片级键合 低温 低压 剪切强度 |
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