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| 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究 | |
| 作者姓名： | 陈燕 邓爱红 赵有文 张英杰 余鑫祥 喻菁 龙娟娟 周宇璐 张丽然 |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理科学与技术学院物理系,成都,610065 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（10775102） |
| 摘 要： | 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述. |
| 关 键 词： | 磷化铟 正电子寿命谱 电子辐照 缺陷 |
| 收稿时间： | 2010-03-08 |
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