|
|||||
|
|
| 四元合金 A_x~ⅢB_y~ⅢC_(1-x-y)~ⅢD~v 的有序结构 | |
| 作者姓名： | 王世范 |
| 作者单位： | 清华大学现代应用物理系 北京100084 |
| 摘 要： | 随着分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)、金属有机化学汽相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)和有机金属汽相外延(Organometallic vaporphase epitaxy,OMVPE)等生长技术的出现,大量新型半导体合金和超晶格材料被制成。近年来出现的Ⅲ-V族四元合金因其独特的性能引起了人们广泛的重视。它们作为光电器件的基础材料已得到越来越多的应用。例如,利用In_0.5(Al_xGa_(1-x))_0.5P合金的宽带隙和形成双异质结构的性能,可制成短波长激光器和发光二极管;用GaInAs/AlGaInAs制成量子阱激 |
| 关 键 词： | 有序结构 超晶格 四元合金 半导体 |
| 收稿时间： | 1992-07-17 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |