论文摘要

高倍增 Ga As光电导开关中的单电荷畴施　卫 ,陈二柱 ,张显斌(西安理工大学理学院 ,陕西西安 71 0 0 4 8)给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出了用类似于耿畴的单极电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 Lock-on效应。分析了单极电荷畴形成和辐射发光的物理过程 ,并对 Lock-on效应的典型现象作了物理解释。(将发表在《西安理工大学学报》2 0 0 1 Vol.1 7No.2 )真空内氧化法制备 α-Al2 O3/ Cu复合材料王武孝 ,袁…