金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟 |
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引用本文: | 侯毅,王宁,谯进玉,侯君祎,严汝阳,吴芳芳,马晓波,陈焕铭.金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟[J].河南科技,2023(20):76-79. |
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作者姓名: | 侯毅 王宁 谯进玉 侯君祎 严汝阳 吴芳芳 马晓波 陈焕铭 |
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作者单位: | 宁夏大学物理学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助(NSFC 12164035); |
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摘 要: | 【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法,对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明,Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长,膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。Al原子逐步上移,Si原子逐步下移,在结构演变的过程中逐步实现Al/Si异质膜层的翻转。【结论】Al原子引起Si原子之间成键状态的变化,Al原子的库仑屏蔽作用使得Si—Si键的强度减弱,Al原子扩散进入Si层具有能量优势,降低了Si的晶化能垒,有利于Si原子的迁移并结晶。
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关 键 词: | 金属诱导晶化 异质薄膜 原子输运 |
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