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| 三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究 | |
| 引用本文： | 朱伟林,张文昊,钟子平,廖良欣,夏治洋,李钦亮.三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究[J].江西师范大学学报(自然科学版),2019,43(6). |
| 作者姓名： | 朱伟林 张文昊 钟子平 廖良欣 夏治洋 李钦亮 |
| 作者单位： | 江西省微纳材料与传感器件重点实验室,江西师范大学物理与通信电子学院,江西 南昌 330022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;江西省自然科学基金;江西省自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(In_2Se_3)纳米线,所合成的In_2Se_3纳米线的直径分布在20～200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功构建了基于单根In_2Se_3纳米线的器件,其器件结构为电阻型结构.经过对一系列具有不同直径大小的In_2Se_3纳米器件的光电导性能研究,该类器件的光电导性能表现出明显的尺寸依赖性,为构建基于In_2Se_3纳米线的高效光探测器提供了关键的实验和理论依据. |
| 关 键 词： | In2Se3纳米线 光电导 尺寸效应 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |