| 完全基于绝热电路的静态随机存储器(SRAM)设计 |
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| 引用本文： | 王芳,兰景宏,吉利久.完全基于绝热电路的静态随机存储器(SRAM)设计[J].清华大学学报(自然科学版),2006,46(10):1747-1750. |
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| 作者姓名： | 王芳 兰景宏 吉利久 |
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| 作者单位： | 北京大学,微电子学研究所,北京,100871 |
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| 摘 要： | 为了降低静态随机存储器(SRAM)的功耗,提出了一种完全采用绝热电路实现的W A SRAM(W ho le A d iabaticSRAM),W A SRAM的译码部分、存储单元、读出放大等全部采用绝热电路结构。针对W A SRAM建立了功耗分析模型。基于0.18μm 1.8 V CM O S工艺,在不同频率下针对不同存储规模的SRAM进行了功耗仿真、分析和比较。实验结果证明,W A SRAM的低功耗效果十分明显,与传统CM O S电路实现的SRAM相比,在250 MH z频率下,W A SRAM功耗降低了80%以上。
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| 关 键 词： | 绝热电路 功耗分析 低功耗 |
| 文章编号： | 1000-0054(2006)10-1747-04 |
| 修稿时间： | 2005年8月12日 |
Static random access memory (SRAM) design based on adiabatic circuits |
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| WANG Fang,LAN Jinghong,JI Lijiu.Static random access memory (SRAM) design based on adiabatic circuits[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2006,46(10):1747-1750. |
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| Authors: | WANG Fang LAN Jinghong JI Lijiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM |
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