MOS器件静电放电潜在性失效概述 |
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引用本文: | 杨洁,武占成,张希军,胡有志.MOS器件静电放电潜在性失效概述[J].河北科技大学学报,2011(Z1):34-37. |
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作者姓名: | 杨洁 武占成 张希军 胡有志 |
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作者单位: | 军械工程学院静电与电磁防护研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(60871066;60971042) |
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摘 要: | 各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时,随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而,静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效,而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效,是目前最具争议的一种失效模式,也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展,他们的研究结果表明:在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时,在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。
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关 键 词: | 静电放电 MOS器件 潜在性失效 检测 |
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