| 用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究 |
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| 引用本文： | 王仁智.用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究[J].科学通报,1994,39(20):1856-1856. |
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| 作者姓名： | 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系 厦门361005
(王仁智，柯三黄，郑永梅)，厦门大学物理系 厦门361005(黄美纯) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 我们建议的以平均键能为参考能级的异质结价带偏移△E_v值的理论计算方法已在一系列晶格匹配的异质结的△E_v值的理论计算中获得比一般线性理论方法更准确的结果,几乎达到计算量极大的界面自洽计算方法(也称为非线性理论方法)的准确性.本文对于由AlAs和GaAs构成的AlAs/GaAs异质结的(110)、(111)以及(100)三种不同晶面的(AlAs)_3(GSAS)_3超原胞(简称SL_3),分别采用E_m为参考能级的方法和界面自洽方法进行了理论计算和比较,全面考察SL_3中的平均键能E_m对齐程度与界面结构、界面电荷转移及计算方案的关系,揭示以平均键能为参考能级的△E_v理论计算方法可达到界面自洽方法的准确性的主要原因.
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| 关 键 词： | 异质结 价带偏移 平均键能 半导体 |
| 收稿时间： | 1994-02-14 |
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