| 采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态 |
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| 引用本文： | 谢自力,张荣,张彤,周元俊,刘斌,张曾,李弋,宋黎红,崔颖超,傅德颐,修向前,韩平,施毅,郑有炓.采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态[J].中国科学(G辑),2009,39(11):1623-1627. |
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| 作者姓名： | 谢自力 张荣 张彤 周元俊 刘斌 张曾 李弋 宋黎红 崔颖超 傅德颐 修向前 韩平 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理学系, 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京 210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(编号: 2006CB6049)、国家高技术研究发展规划(编号: 2006AA03A118, 2006AA03A142), 国家自然科学基金(批准号: 60721063, 60676057, 60731160628, 60776001, 60820106003)、江苏省自然科学基金(编号: BK2008019)和南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用高分辨X射线衍射方法，分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN／GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过（002）和（105）面的倒易空间映射，分析获得AlxGa1-xN／GaN外延层的应变程度，并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN／GaN在倒易空间图上的弛豫方向；同时利用Vegard原理，推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式，得出完全应变情况下A1组分为30％，与卢瑟福背散射实验结果比较符合。
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| 关 键 词： | 高分辨X射线衍射 倒易空间图 应变 弛豫 |
| 收稿时间： | 2009-06-26 |
| 修稿时间： | 2009-07-13 |
Strain analysis on AlxGa1-xN/GaN by high resolution XRD |
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| Authors: | XIE ZiLi ZHANG Tong LIU Bin ZHANG Rong ZHANG Zeng LI Yi SONG NiHong CUI YingChao FU DeYi XlU XiangQian HAN Ping SHI Yi ZHENG You |
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| Institution: | Dou(Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) |
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| Abstract: | A series of AlxGa1-xN/GaN heterostructures is analyzed by high resolution X-ray diffraction （HRXRD）. From symmetric （002） and asymmetric（105） reciprocal space maps, the in-plane and out-of-plane lattice parameters are calucated. When the strain is taken into account, the accurate Al mole fraction（x） can be deduced from a cubic equation. The results show that a fully strained AlxGa1-xN/GaN, heterostructure with x=30.86% is determined, which is consistent with x=30% probed by RBS. |
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| Keywords: | high resolution X-ray diffraction（HRXRD） reciprocal space mapping（RSM） strain |
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