| CMP中接触与流动关系的分析 |
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| 引用本文： | 张朝辉,杜永平,雒建斌.CMP中接触与流动关系的分析[J].科学通报,2006,51(16):1961-1965. |
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| 作者姓名： | 张朝辉 杜永平 雒建斌 |
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| 作者单位： | 1. 北京交通大学机电学院,北京,100044
2. 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 本工作受国家自然科学基金重大项目（批准号：50390060）和北京交通大学“十五”项目（编号：2004SM041）资助. |
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| 摘 要： | 分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization, CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型, 分析了CMP中接触压力和流动的关系, 利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况, 以及接触压力和流体压力的分布情况. 分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙, 从而抛光液流体出现负压, 在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光, 解释了CMP的这两个基本特征.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 接触压力 流体负压 |
| 收稿时间： | 2006-01-17 |
| 修稿时间： | 2006-01-172006-06-12 |
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