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| Sol-gel法制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12铁电薄膜及其性能 | |
| 引用本文： | 郭冬云,李美亚,刘军,于本方,裴玲,于军, 王耘波,杨兵 .Sol-gel法制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12铁电薄膜及其性能[J].中国科学(E辑),2008,38(3):442-447. |
| 作者姓名： | 郭冬云 李美亚 刘军 于本方 裴玲 于军 王耘波 杨兵 |
| 作者单位： | ① 武汉大学物理科学与技术学院, 武汉 430072; ② 华中科技大学电子科学与技术系, 武汉 430074 |
| 摘 要： | 采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜. 利用X射线衍射仪和原子力显微镜对其微观结构进行了观察, 发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构, 而且表面平整致密. 对Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜的介电、铁电、疲劳和漏电流等性能进行了研究, 结果表明: 室温下, 在测试频率1 kHz时, 其介电常数为172, 介电损耗为0.031; 在测试电压为600 kV·cm-1, 其剩余极化值2Pr达到了67.1 μC·cm-2, 具有较大的剩余极化值, 矫顽场强2Ec也达到了299.7 kV·cm-1; 经过4.46×109次极化反转后, 没有发生疲劳现象, 表现出良好的抗疲劳特性; 漏电流测试显示制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有良好的绝缘性能. |
| 关 键 词： | Sol-gel工艺 铁电性能 介电性能 疲劳特性 漏电流 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 |
| 收稿时间： | 2006-11-18 |
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