| 真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性 |
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| 引用本文： | 杨笛,李蓉萍,李琦.真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2002,33(1):17-20. |
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| 作者姓名： | 杨笛 李蓉萍 李琦 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古工业大学基础部,内蒙古,呼和浩特,010062
2. 内蒙古大学物理系,内蒙古,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古工业大学校科研资金资助项目 |
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| 摘 要： | 真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算出其吸收系数和光带隙 ,实验发现 ,掺In会使 Cd Te薄膜的光带隙变宽 .在电学特性上 ,Cd Te薄膜根据制备工艺的不同表现出 n型和 p型两种导电类型 ,本文主要研究了材料配比、掺 In及热处理对导电类型的影响 .另外掺杂及热处理会使 Cd Te薄膜电阻率下降达 2个数量级
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| 关 键 词： | CdTe薄膜 光带隙 光电特性 |
| 文章编号： | 1000-1638(2002)01-0017-04 |
| 修稿时间： | 2000年9月5日 |
The Optical Properties of the CdTe Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation |
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