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| 氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法) | |
| 作者单位： | 北京师范大学量子力学小组，北京师范大学物理系离子注入组 |
| 摘 要： | 一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研究并对载流子补偿的机制作了初步讨论。我们认为,氧离子注入GaAs能引入双深能级:既能引入深施主能级,又同时引入深受主能级。深施主能级估计是由氧置砷(O_(As))引起的,深受主能级则可能是在砷位上的氧O_(As)与As的空位(V_(As))所组成的络合物(O_(As)—V_(As))所引起的。为了进一步探讨我们的推测是否合理,本文用原子簇模拟晶体,用推广的休克尔法(EHMO)计算了GaAs、O_(As)(氧置 |
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