|
|||||
|
|
| ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究 | |
| 作者姓名： | 李东阳 杜懋陆 |
| 作者单位： | 西南民族大学预科教育学院,西南民族大学电信学院 |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项项目(11NZYQN37). |
| 摘 要： | 应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se24:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略. |
| 关 键 词： | V3+ ZnGa2Se4 光谱 |
| 点击此处可从《西南民族大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《西南民族大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 | |