| Al掺杂的Ca2Si的电子结构和光学性质的研究 |
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| 作者姓名： | 邓永荣 张春红 严万珺 覃信茂 周士芸 陈少波 |
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| 作者单位： | 安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心,安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心,安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心,安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心,安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心,安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心 |
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| 基金项目： | 贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合基金资金资助[黔科合[LH字[2014] |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Ca2Si和Al掺杂Ca2Si的能带结构、态密度和光学性质进行计算。结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;费米能级插入价带中,Al掺杂Ca2Si变为P型半导体,禁带由未掺杂时的0.26eV变为0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1（0）值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小。
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| 关 键 词： | Ca2Si Al掺杂Ca2Si 第一性原理 电子结构 光学特性 |
| 收稿时间： | 2016-04-09 |
| 修稿时间： | 2016-07-07 |
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