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| （Ga）12N,（Ga）12B荷电团簇的电子结构与磁性 | |
| 引用本文： | 李顺江,代武春.（Ga）12N,（Ga）12B荷电团簇的电子结构与磁性[J].渝西学院学报(自然科学版),2011(4):37-41. |
| 作者姓名： | 李顺江 代武春 |
| 作者单位： | 重庆文理学院物理系,重庆永川402160 |
| 基金项目： | 重庆文理学院自然科学研究项目（Y2009SW69） |
| 摘 要： | 基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似（GGA）研究20面体（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道（HOMO）、最低未占据轨道（LUMO）及其能隙,分析了（Ga）12B,（Ga）12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构（Ga）12B1＋荷电团簇有磁性外,其它均无磁性. |
| 关 键 词： | （Ga）12B （Ga）12N荷电团簇 密度泛函 电子结构 磁性 |
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