PZNT晶体压电性能及其与成分的依赖关系 |
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作者姓名: | 金敏 徐家跃 |
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作者单位: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海 中国科学院研究生院 |
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摘 要: | ![]() (1-x)PbZn1/3Nb2/3O3-xPbTi O3(PZNT)晶体是弛豫铁电体PbZn1/3Nb2/3O3(PZN)与普通铁电体PbTi O3(PT)在0≤x≤0.2内形成的固溶体.钙钛矿结构的PZNT晶体具有优异的压电性能,在声纳、微位移器、医用超声成像等领域具有广阔的应用前景.作者分析了PZNT单晶压电性能对晶体组分的依赖关系,讨论了不同生长工艺对晶体性能的影响,解释了PZNT单晶在准同型相界附近具有优异性能的原因.
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关 键 词: | 弛豫铁电体 晶体 准同型相界 压电性 |
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