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| 应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？… | |
| 引用本文： | 李开航,黄美纯.应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…[J].厦门大学学报(自然科学版),1999,38(2):209-215. |
| 作者姓名： | 李开航 黄美纯 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 |
| 摘 要： | 用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上，计算了该晶格系统的光学介电函数虚部，并与体材料ＧａＡｓ和 |
| 关 键 词： | 光学性质 应变超晶格 砷化镓 铟镓砷化合物 |
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