| AlGaAs／GaAs HBT E—M模型直流参数的修正 |
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| 引用本文： | 廖小平 魏同位. AlGaAs／GaAs HBT E—M模型直流参数的修正[J]. 东南大学学报(自然科学版), 1998, 28(4): 24-28 |
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| 作者姓名： | 廖小平 魏同位 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
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| 摘 要： | 在Ｓｉ ＢＪＴ Ｅ－ＭＳ模型基础上，对其直流参数进行进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的直流特性；电流增益不是常量和自热效应。计算机模拟值与测值在中电流和较大电流时相当吻合，这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟。
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| 关 键 词： | E－M模型 直流参数 异质结双极型 晶体管 |
Modification of DC Parameters in the AlGaAs/GaAs HBT E M Model |
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| Liao Xiaoping Wei Tongli. Modification of DC Parameters in the AlGaAs/GaAs HBT E M Model[J]. Journal of Southeast University(Natural Science Edition), 1998, 28(4): 24-28 |
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| Authors: | Liao Xiaoping Wei Tongli |
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| Keywords: | E M model DC parameter self heating effects HBT (heterojunction bipolar transistor) |
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