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SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究
引用本文:俞伟钧,钱显毅,黄致新.SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的制备及其组分影响研究[J].华中师范大学学报(自然科学版),2008,42(4).
作者姓名:俞伟钧  钱显毅  黄致新
作者单位:1. 常州工学院,理学院,江苏,常州,213002
2. 常州工学院,电子信息与电气工程学院,江苏,常州,213002
3. 华中师范大学,物理科学与技术学院,武汉,430079
摘    要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sm)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286 Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330 emu/cm3,矫顽力为5.0 KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31 Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385 emu/cm3,矫顽力为4.7 KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释.

关 键 词:非晶薄膜  磁特性  垂直磁化  组分影响

Studies on the preparation and composition dependence of SmTbCo/Cr amorphous thin film with perpendicular anisotropy
YU Weijun,QIAN Xianyi,HUANG Zhixin.Studies on the preparation and composition dependence of SmTbCo/Cr amorphous thin film with perpendicular anisotropy[J].Journal of Central China Normal University(Natural Sciences),2008,42(4).
Authors:YU Weijun  QIAN Xianyi  HUANG Zhixin
Abstract:
Keywords:
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