| Ag生长温度对Ag／ZnO肖特基接触特性的影响 |
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| 引用本文： | 李新坤①,李清山①②,梁德春③,徐言东①,谢小军①.Ag生长温度对Ag／ZnO肖特基接触特性的影响[J].中国科学(E辑),2009,39(7):1269-1274. |
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| 作者姓名： | 李新坤① 李清山①② 梁德春③ 徐言东① 谢小军① |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理工程学院;鲁东大学;中国科学院半导体研究所; |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜，并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极，研究了Ag与ZnO的接触特性．利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析．结果表明，ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向，Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异．样品在室温下的I-V测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag／ZnO接触性能有重要影响．在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触，电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触．经过分析，肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层．
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| 关 键 词： | ZnO 肖特基势垒 接触界面 MSM结构 |
| 收稿时间： | 2008-10-31 |
| 修稿时间： | 2009-02-24 |
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