| 硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤 |
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| 引用本文： | 魏朝刚,任天令,邵天奇,王小宁,李春晓,刘理天,朱钧.硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤[J].清华大学学报(自然科学版),2003,43(4):557-560. |
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| 作者姓名： | 魏朝刚 任天令 邵天奇 王小宁 李春晓 刘理天 朱钧 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家教育振兴计划，国家“九七三”重点基础研究项目 ( G19990 3 3 10 5 )，清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0 0 ,30 k V/ cm和 16 μC/ cm2 ,漏电流在 0 .1n A / cm2 量级 ,达到 Fe RAM的应用要求。铁电膜与CMOS电路集成时对铁电膜的铁电性可能造成的工艺损伤(如刻蚀损伤、氢损伤和应力损伤等 )的物理机制进行了初步研究和讨论 ,并提出了一些初步的解决途径
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| 关 键 词： | 硅基铁电膜 溶胶凝胶法 工艺损伤 铁电存储器 |
| 文章编号： | 1000-0054(2003)04-0557-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月25 |
Fabrication of silicon-based PZT films and process-induced damage problems |
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| WEI Chaogang,REN Tianling,SHAO Tianqi,WANG Xiaoning,LI Chunxiao,LIU Litian,ZHU Jun.Fabrication of silicon-based PZT films and process-induced damage problems[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2003,43(4):557-560. |
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| Authors: | WEI Chaogang REN Tianling SHAO Tianqi WANG Xiaoning LI Chunxiao LIU Litian ZHU Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon based ferroelectric film sol gel process induced damage ferroelectric memory |
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