Co~(60)γ辐照对半导体二极管和三极管性能的影响

本文首先研究了CO~(60)γ辐照对国产面结型硅二极管正向伏安特性的影响,发现在小电流区域正向特性变好;大电流区域变坏,进一步分析了所以如此的原因,采用了适当的模型,从理论上解释了伏安特性的变化。还研究了反向伏安特牲的变化及其在室温下的恢复。也发现在辐照下势垒电容的变化很小。本文还研究了的γ辐对国产面结型三极管共基极和共发射极h参数的影响,并作了理论上的分析。还比较了辐照前后的α_(cb)与I_e关系曲线的变化以及α_(cb)与f关系曲线的变化,并分析了变化的原因。