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| Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量 | |
| 引用本文： | 崔捷.Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量[J].科学通报,1991,36(15):1135-1135. |
| 作者姓名： | 崔捷 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所，中国科学院上海光学精密机械研究所 上海 201800，上海 201800，上海 201800，上海 201800 |
| 摘 要： | ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导、激光器及光学 |
| 关 键 词： | 半导体 应变层 超晶格 折射率 |
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