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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
掺杂ZnO气敏特性的研究进展
作者姓名:
穆建国
马勇
张召涛
刘润华
作者单位:
重庆师范大学,物理学和信息技术学院,重庆,400047
摘 要:
ZnO是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文介绍了ZnO的制备和掺杂研究进展及其气敏机理,并指出了今后的发展趋势。
关 键 词:
掺杂
气敏特性
文章编号:
1009-9735(2007)02-0056-04
修稿时间:
2007-01-19
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