| 基于非线性内电位构造函数的抗伪状态联想记忆 |
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| 引用本文： | 严晨,夏旻,王直杰. 基于非线性内电位构造函数的抗伪状态联想记忆[J]. 系统仿真学报, 2009, 21(4) |
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| 作者姓名： | 严晨 夏旻 王直杰 |
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| 作者单位： | 东华大学信息科学与技术学院自动化系,上海,201620 |
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| 摘 要： | 针对传统Hopfield神经网络在联想记忆中存在的大量伪状态,设计出一种以非线性内电位函数构造为核心的抗伪状态方案,以取代传统的Hebb规则及其外积法,建立了一种抗伪状态的联想记忆网络(ASS-SSNN),并通过吸引域的变化研究抗伪状态方案的正确性和有效性.仿真结果表明:ASS-SSNN比采用传统Hebb规则及其外积法的Hopfield联想记忆网络(HNN)在容错性上更优,记忆状态的吸引域明显增大,存储容量也有所增加.
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| 关 键 词： | Hopfield神经网络 联想记忆 伪状态 非线性内电位 |
Associative Memory with Anti-spurious-state Based on Nonlinear Function Constitution |
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| YAN Chen,XIA Min,WANG Zhi-jie. Associative Memory with Anti-spurious-state Based on Nonlinear Function Constitution[J]. Journal of System Simulation, 2009, 21(4) |
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| Authors: | YAN Chen XIA Min WANG Zhi-jie |
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