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原子级平整硅基底的制备
引用本文:吴育飞,胡瑞省.原子级平整硅基底的制备[J].河北师范大学学报(自然科学版),2002,26(4):387-389,405.
作者姓名:吴育飞  胡瑞省
作者单位:1. 河北师范大学化学学院,河北石家庄,050016
2. 石家庄师范专科学校化学系,河北石家庄,050801
摘    要:采用RCA方法与Piranha溶液处理相结合,对单晶硅表面超声腐蚀处理,接触角、原了力显微镜(AFM)表征结果显示获得了平整高羟基密度的氧化物表面,采用水相烷化,将3-氨基丙基-三甲氧基硅烷(APS)组 装在湿化学法处理的单晶硅表面上,AFM和X-射线光电子能谱(XPS)研究表明得到了平整均匀的氨基自组装膜。

关 键 词:硅基底  制备  自组装性能  原子级平整表面  RCA方法  Piranha溶液处理  半导体材料
文章编号:1000-5854(2002)04-0387-03

Preparation of Atomically-flat Silicon Substrate
WU Yu fei ,HU Rui sheng.Preparation of Atomically-flat Silicon Substrate[J].Journal of Hebei Normal University,2002,26(4):387-389,405.
Authors:WU Yu fei  HU Rui sheng
Institution:WU Yu fei 1,HU Rui sheng 2
Abstract:With the treating method of combination of RCA and Piranha solution,an ultrasmooth and homogenous surface was obtained after ultrasonic treating.Wetchemically treated silicon substrate was modified with self assembled monolayer of 3 aminopropyl trimethylsilane by aqueous phase silanization,giving an ultrasmooth and homogenous surface terminated with amino groups.
Keywords:silicon substrate  preparation  self  assembly
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