| As^＋注入Si中的晶格应变 |
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| 引用本文： | 马德录,韩宇.As^＋注入Si中的晶格应变[J].辽宁大学学报(自然科学版),1999,26(3):228-232. |
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| 作者姓名： | 马德录 韩宇 |
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| 作者单位： | 辽宁大学物理系!沈阳110036 |
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| 摘 要： | 本文借助于双晶Ｘ射线衍射和椭圆偏光谱研究了注入能量为１６０ｋｅＶ，不同剂量６和不同退火温度（５００－７００℃）Ａｓ＾＋注入Ｓｉ的性质。用Ｘ射线衍射的动力学理论和多层模型拟 了双晶衍射的摇摆曲线，得到了晶格应变随深度的分布。
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| 关 键 词： | 离子注入 退火 X射线衍射 晶格应变 硅 硒离子 |
The Lattice Strain in Layer of As + Implanted Si |
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| HAN Yu,MOU Xiaolan.The Lattice Strain in Layer of As + Implanted Si[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),1999,26(3):228-232. |
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| Authors: | HAN Yu MOU Xiaolan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation annealing x ray diffraction latticestrain |
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